La RAM que nous connaissons aujourd’hui n’est pas nouvelle, puisque son concept a été créé au milieu des années 1960. Malgré cela, il est adopté dans pratiquement toutes les architectures informatiques aujourd’hui, même avec 50 ans d’existence. Il est surprenant qu’un concept dure aussi longtemps dans le monde de la technologie, qui est en constante évolution. Mais il semble que ce concept de RAM pourrait bientôt être rétabli. Finie la vieille mémoire vive et voici la mémoire à base de FET : Field-effect transistor.
Développée par des chercheurs de l’université d’État de Caroline du Nord, sous la direction du professeur Paul Franzon aux États-Unis, la mémoire FET combine des éléments de Flash et de RAM en un seul circuit, en utilisant un transistor à effet de champ avec deux FET à grille flottante. De cette façon, elle peut être aussi involontaire qu’une puce de mémoire Flash et en même temps être aussi rapide qu’une RAM. Et avec un bonus : comme elle ne nécessite pas une charge électrique constante sur chaque puce, la mémoire peut être éteinte lorsqu’elle n’est pas utilisée, ce qui permet d’économiser de l’énergie.
Comme toutes les nouvelles technologies, la mémoire des FET doit encore être testée et prototypée de manière approfondie avant d’apparaître dans les premiers ordinateurs. Mais les avantages qu’elle apporte par rapport à la RAM montrent déjà qu’elle sera un substitut valable.
Les chercheurs ont l’intention de disposer d’un prototype à tester dès l’année prochaine. Espérons que la recherche évolue aussi vite que la mémoire elle-même le promet.
