Le coût par gigaoctet des disques SSD reste plus élevé que celui des disques durs, mais au moins la capacité de stockage a augmenté à un bon rythme. Samsung vient de faire un nouveau pas dans cette direction : annoncée ce mardi (6), la sixième génération de technologie de la société permettra à ses puces SSD d’avoir plus de 100 couches de cellules.
V-NAND (Vertical NAND) est une technique qui augmente la capacité de stockage de la puce en “empilant” les cellules au lieu de les garder simplement “côte à côte”. Plus il y a de couches de cellules, plus les données peuvent être stockées en conséquence. D’autres fabricants appellent cette technique “3D NAND”.
La première génération de V-NAND a été formée par 24 couches de cellules. Ce nombre augmente progressivement :
Selon Samsung, la sixième génération de V-NAND ajoute 40 % de cellules supplémentaires à la structure de stockage par rapport à la cinquième génération. Cela signifie que les premières puces dotées de la nouvelle technologie pourront compter 136 couches de cellules.
Toujours selon Samsung, les nouvelles puces consomment 15 % d’énergie en moins que la génération précédente et sont 10 % plus rapides dans le transfert de données.
Pour éviter que ces progrès ne rendent les puces plus sensibles aux erreurs de lecture et aux problèmes de latence, la société a développé une conception de circuit qui optimise le transfert de données sans compromettre les performances : les taux restent inférieurs à 450 microsecondes pour les opérations d’enregistrement et à 45 microsecondes pour les lectures.
Grâce à ce processus d’optimisation, Samsung estime qu’elle pourra mettre en œuvre plus de 300 couches dans la prochaine génération de V-NAND sans nuire à la fiabilité ou aux performances des puces.
Quand la nouvelle technologie sera-t-elle mise sur le marché ? Samsung n’a pas encore révélé de dates, mais affirme avoir déjà commencé la production de disques SSD de 250 Go basés sur les nouvelles puces V-NAND ?, qui stockent chacune trois bits par cellule et ont une capacité totale de 256 gigabits. L’intention est de les libérer d’ici la fin de l’année.
Il est également prévu de produire les nouvelles puces V-NAND en version 512 gigabits ce semestre et d’amener la technologie à la norme eUFS (puce de stockage pour téléphones portables).
