Dans un communiqué publié mardi (16), Samsung a déclaré avoir terminé le développement de son procédé FinFET pour la fabrication de puces de 5 nanomètres. Cette technologie apportera au moins deux avantages : elle permettra la production de processeurs physiquement plus petits et sera en même temps plus efficace sur le plan énergétique.
En gros, le terme FinFET indique que les transistors sont basés sur une structure tridimensionnelle. Grâce à cette technologie, la puce est capable de maintenir son efficacité même avec des processus de fabrication de plus en plus réduits.
Pour atteindre les 5 nanomètres, Samsung a utilisé sa mise en œuvre de la technologie de l’ultraviolet extrême (EUV), un type de lithographie basé sur une très courte longueur d’onde et donc idéal pour les puces très miniaturisées.
Selon M. Samsung, par rapport à la technologie actuelle de 7 nanomètres, le procédé FinFET de 5 nanomètres permet de réduire la taille de la puce de 25 % et de consommer jusqu’à 20 % d’énergie en moins. La performance de la puce, en revanche, pourrait augmenter de 10 %.
Il est prévu que la production de puces à l’échelle commerciale avec la nouvelle technologie commence en 2020. Des échantillons commenceront bientôt à être envoyés aux entreprises partenaires. Samsung travaille actuellement avec ces entreprises pour permettre la production de puces de 6 nanomètres d’ici 2019.
Samsung n’est pas seul dans ce segment. Le TSMC a également annoncé récemment sa technologie de 5 nanomètres. Comme son rival coréen, il est prévu de lancer une production à grande échelle à partir de 2020.
