Samsung a annoncé mercredi (27) qu’elle a commencé la production en masse de puces de mémoire basées sur eUFS 3.0, qui peut être deux fois plus rapide que la génération du mois dernier. La nouvelle norme de mémoire introduite aura jusqu’à 512 Go d’espace et pourra à l’avenir accueillir 1 To de données.
eUFS 3.0, ou Universal Flash Storage intégré, est une norme de mémoire flash qui promet d’être quatre fois plus rapide que les options SSD branchées sur les ports SATA. La version 2.0 est sortie en janvier 2015 et a réussi à être 1,4 fois plus rapide que la mémoire eMMC. Le dernier en date, 2.1, a été publié en janvier.
Désormais, la vitesse d’accès séquentiel aux données dans la version 3.0 de l’eUFS peut atteindre 2,1 Go par seconde. La vitesse absurde est enregistrée lors de la lecture des fichiers, alors que l’écriture peut atteindre 410 Mo par seconde, soit la même vitesse qu’un SSD SATA.
Avec une telle vitesse, Samsung affirme que le transfert d’un film Full HD de 3,7 Go d’un PC avec un NVMe SSD vers un appareil avec eUFS 3.0 prendra au maximum trois secondes. Dans les opérations aléatoires, le gain de performance est de l’ordre de 36%.
La fabrication à grande échelle commence ce semestre pour les puces de 512 Go et 128 Go, avec des options de 1 To et 256 Go à partir du prochain semestre en 2019. Beaucoup de temps pour le lancement d’une Note de la Galaxie 10.
