Deux ans après la présentation d’UFS 3.0, le JEDEC a annoncé les spécifications finales de la mémoire Flash UFS 3.1. La nouvelle version hérite des bandes passantes de la norme précédente, mais apporte des fonctionnalités qui améliorent les performances et optimisent la consommation d’énergie.
L’UFS (Universal Flash Storage) est apparu en 2011 et depuis lors, il est principalement présent dans les smartphones et les tablettes hautes performances, comme Galaxy Note 10+ et OnePlus 7.
Les deux appareils sont dotés de la version 3.0 de la technologie, qui fonctionne avec une bande passante allant jusqu’à 11,6 Gb/s (gigabits par seconde) par canal. Mais comme l’UFS peut fonctionner avec deux canaux simultanément, ce taux peut atteindre 23,2 Gb/s.
Eh bien, UFS 3.1 conserve les mêmes débits de bande passante. Toutefois, la nouvelle version introduit trois caractéristiques qui peuvent améliorer les performances technologiques et la consommation d’énergie :
Le Booster de performance de l’hôte est une implémentation optionnelle qui peut améliorer la performance de l’unité en stockant la carte d’adresses logiques pour les physiciens (LTP) dans la RAM.
L’UFS 3.1 ne devrait pas tarder à arriver sur le marché. Il y a de fortes chances que cette technologie apparaisse dans les versions 2020 des lignes déjà mentionnées de Galaxy Note et OnePlus, par exemple. Il y a même des rumeurs sur le nouveau Samsung Galaxy S20, qui sera officiellement annoncé le 11.
