LG est critiqué pour avoir lancé le G3 en France avec seulement 16 Go pour le stockage des données. Cela illustre l’importance croissante de cette question pour les consommateurs. Mais on s’attend à ce que cette situation s’améliore dans un avenir pas trop lointain : un nouveau type de mémoire, RRAM, pourrait permettre à nos smartphones de stocker quelque chose comme 1 To de données.
Actuellement, les appareils mobiles utilisent des puces Flash pour stocker des informations, le même type de technologie que celle utilisée dans les cartes mémoire ou les lecteurs SSD, par exemple, en enregistrant les variations appropriées.
Par rapport aux disques durs, les puces Flash sont plus rapides et occupent moins d’espace physique, en revanche, elles sont nettement plus chères. C’est l’un des facteurs qui font qu’il est difficile pour les fabricants de fournir à leurs smartphones des capacités plus élevées, comme 128 Go ou 256 Go, sauf dans un cas ou un autre.
Pour aggraver les choses, il est compliqué d’insérer plusieurs puces Flash dans un smartphone en raison de facteurs liés à la consommation d’énergie, à la production de chaleur et, bien sûr, à l’espace physique – il y a un consensus sur le fait que plus l’appareil est fin, mieux c’est.
C’est là que la technologie RRAM peut devenir un fil d’espoir : ce type de mémoire, également appelé ReRAM (Resistive RAM), est basé sur une technique qui ressemble à l’application de transistors dans les mémoires Flash actuelles, à la différence que leurs puces peuvent devenir beaucoup plus petites, consommer moins d’énergie et être plusieurs fois plus rapides dans les opérations de lecture et d’écriture des données.
Et le plus important : la mémoire RRAM est également non volatile, c’est-à-dire qu’elle ne perd pas de données lorsqu’il n’y a pas d’alimentation électrique.
Si cette technologie présente tant d’avantages, pourquoi le RRAM n’a-t-il plus été adopté ? La vérité est que des puces de ce type sont déjà produites, mais pour des applications très spécifiques. La fabrication à grande échelle n’est pas encore possible car elle nécessite l’utilisation de températures et de contraintes élevées, ce qui rend le processus complexe et coûteux.
Ce scénario pourrait bientôt changer grâce aux recherches menées par l’université du riz aux États-Unis. Les scientifiques de l’institution ont mis au point une technique qui permet de fabriquer des puces RRAM à température ambiante et avec des contraintes considérablement réduites.
Le “truc” consiste essentiellement à utiliser une couche de dioxyde de silicium percée de trous de cinq nanomètres de diamètre chacun, puis à la placer entre deux feuilles de métal très fines. Une petite tension appliquée à cet endroit est suffisante pour faire passer le métal par les trous et relier les deux lames, qui fonctionnent alors comme des électrodes. Il existe donc une puce de mémoire stable dont le coût de fabrication est relativement faible.
Cette technique de fabrication est également un moyen de produire des puces RRAM multicouches. En pratique, cela se traduit par une plus grande capacité de stockage par unité, mais sans augmentation très importante de l’espace physique. C’est là que les chercheurs entrevoient la possibilité que les smartphones ou autres appareils mobiles aient une capacité de 1 TB ou même plus.
Quand ? Les scientifiques n’ont pas donné d’estimations, mais si l’on tient compte du fait qu’il y a de plus en plus de sociétés intéressées par les mémoires RRAM, cela ne devrait pas prendre longtemps.
